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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > NVD5806NT4G

NVD5806NT4G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: DPAK
數(shù)量：: 378
說明：: MOSFET POWER MOSFET 40V

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NVD5806NT4G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：40 W
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：12.7 mOhms
漏極連續(xù)電流：33 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NVD5806NT4G的詳細(xì)信息，包括NVD5806NT4G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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