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NVD5803NT4G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: DPAK
數(shù)量：: 4797
說(shuō)明：: MOSFET NFET DPAK 40V 85A 5.7 MOHM

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NVD5803NT4G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：83 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：51 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：13.6 S
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：5.7 mOhms
漏極連續(xù)電流：85 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：ON Semiconductor

以上是NVD5803NT4G的詳細(xì)信息，包括NVD5803NT4G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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