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NUS5531MTR2G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-WDFN（3x3）
數(shù)量：: 2682
說明：: MOSFET 12V PFET W 20V PNP

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NUS5531MTR2G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：80 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：17.5 ns
功率耗散：1460 mW
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：13 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：5.9 S
下降時(shí)間：17.5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：WDFN-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：32 mOhms
漏極連續(xù)電流：5.47 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：12 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NUS5531MTR2G的詳細(xì)信息，包括NUS5531MTR2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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