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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > NUS5530MNR2G

NUS5530MNR2G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-DFN（3.3x3.3）
數(shù)量：: 2664
說明：: MOSFET INTEGRATED POWER BJT

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NUS5530MNR2G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：3000
功率耗散：635 mW
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：12 S
包裝形式：Reel
封裝形式：DFN8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：200 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 3.9 A
閘/源擊穿電壓：- 35 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NUS5530MNR2G的詳細(xì)信息，包括NUS5530MNR2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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