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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > NTR1P02T3

NTR1P02T3

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SOT-23-3（TO-236）
數(shù)量：: 8883
說明：: MOSFET -20V -1A P-Channel

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NTR1P02T3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：9 ns
工廠包裝數(shù)量：10000
上升時(shí)間：9 ns
功率耗散：0.4 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：9 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-23
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.148 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTR1P02T3的詳細(xì)信息，包括NTR1P02T3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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