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NTR1P02LT3G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
數(shù)量：: 8838
說明：: MOSFET PFET SOT23 20V .160R

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NTR1P02LT3G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：10000
上升時間：15 ns
功率耗散：400 mW
柵極電荷 Qg：5.5 nC
下降時間：20 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-23
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：135 mOhms
漏極連續(xù)電流：1.3 A
閘/源擊穿電壓：12 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTR1P02LT3G的詳細(xì)信息，包括NTR1P02LT3G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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