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NTQS6463R2

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-TSSOP
數量：: 8757
說明：: MOSFET -20V -6.8A P-Channel

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NTQS6463R2 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：90 ns
工廠包裝數量：4000
上升時間：22 ns
功率耗散：1.39 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：21 S
下降時間：22 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSSOP-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Triple Drain Quad Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.02 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 6.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTQS6463R2的詳細信息，包括NTQS6463R2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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