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NTMSD6N303R2G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 7974
說明：: MOSFET 30V 6A N-Channel

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NTMSD6N303R2G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：22 ns, 45 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：27 ns, 22 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：10 S
下降時間：34 ns, 45 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.024 Ohms
漏極連續(xù)電流：6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTMSD6N303R2G的詳細信息，包括NTMSD6N303R2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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