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NTMSD6N303R2

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 8-SOIC
數(shù)量:
 7965  
說(shuō)明:
 MOSFET 30V 6A N-Channel
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NTMSD6N303R2-8-SOIC圖片

NTMSD6N303R2 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:22 ns, 45 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時(shí)間:27 ns, 22 ns
功率耗散:2 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :10 S
下降時(shí)間:34 ns, 45 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.024 Ohms
漏極連續(xù)電流:6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NTMSD6N303R2的詳細(xì)信息,包括NTMSD6N303R2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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