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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > NTMS4P01R2

NTMS4P01R2

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 7830
說(shuō)明：: MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC

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NTMS4P01R2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C45 毫歐 @ 4.5A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)12V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）1.15V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs35nC @ 4.5V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.4A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 1850pF @ 9.6V
功率 - 最大790mW
安裝類型表面貼裝

以上是NTMS4P01R2的詳細(xì)信息，包括NTMS4P01R2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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