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NTMS4N01R2G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 7821
說(shuō)明：: MOSFET 20V 4.2A N-Channel

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NTMS4N01R2G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：45 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：35 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：10 S
下降時(shí)間：50 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.045 Ohms
漏極連續(xù)電流：4.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 10 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTMS4N01R2G的詳細(xì)信息，包括NTMS4N01R2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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