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NTMS4917NR2G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 8649
說明：: MOSFET NFET SO8 30V 10.2A 11MOHM

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NTMS4917NR2G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

上升時(shí)間：6.3 ns
功率耗散：1.28 W
柵極電荷 Qg：15.6 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：19 S
下降時(shí)間：12 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：15 mOhms
漏極連續(xù)電流：7.1 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NTMS4917NR2G的詳細(xì)信息，包括NTMS4917NR2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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