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NTMFS4H02NFT1G

廠家：: onsemi
封裝：: 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
數(shù)量：: 3267
說明：: MOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFN

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NTMFS4H02NFT1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3.13W（Ta），83W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2652 pF @ 12 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：40.9 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.4 毫歐 @ 30A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：37A（Ta），193A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：25 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi

以上是NTMFS4H02NFT1G的詳細信息，包括NTMFS4H02NFT1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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