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NSV60600MZ4T1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SOT-223（TO-261）
數(shù)量：: 4231
說(shuō)明：: 兩極晶體管 - BJT PNP LOW VCE(SAT)

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NSV60600MZ4T1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：100MHz
功率 - 最大值：800 mW
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 1A，2V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：350mV @ 600mA，6A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：60 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：6 A
晶體管類型：PNP
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：onsemi

以上是NSV60600MZ4T1G的詳細(xì)信息，包括NSV60600MZ4T1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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