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NSS40300MDR2G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 8-SOIC
數(shù)量:
 3945  
說明:
 兩極晶體管 - BJT 40V 6A LOW VCE(SAT) DUAL PNP
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NSS40300MDR2G-8-SOIC圖片

NSS40300MDR2G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
認(rèn)證機(jī)構(gòu):
封裝封裝/外殼:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
頻率 - 躍遷:100MHz
功率 - 最大值:653mW
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):180 @ 1A,2V
電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):170mV @ 200mA,2A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):3A
晶體管類型:2 PNP(雙)
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌:onsemi

以上是NSS40300MDR2G的詳細(xì)信息,包括NSS40300MDR2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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