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NSS40200UW6T1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 6-WDFN（2x2）
數(shù)量：: 3267
說(shuō)明：: 兩極晶體管 - BJT WDFN6 2*2 LOW VCE (SAT) TR

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NSS40200UW6T1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：6-WDFN 裸露焊盤
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：140MHz
功率 - 最大值：875 mW
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：150 @ 1A，2V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：300mV @ 20mA，2A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：40 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：2 A
晶體管類型：PNP
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi

以上是NSS40200UW6T1G的詳細(xì)信息，包括NSS40200UW6T1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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