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NSS35200CF8T1G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 ChipFET?
數(shù)量:
 3204  
說明:
 兩極晶體管 - BJT 2A 35V Low VCEsat
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NSS35200CF8T1G-ChipFET?圖片

NSS35200CF8T1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
供應商器件:
封裝封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
頻率 - 躍遷:100MHz
功率 - 最大值:635 mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):100 @ 1.5A,2V
電流 - 集電極截止(最大值):100nA
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):300mV @ 20mA,2A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):35 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):2 A
晶體管類型:PNP
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:onsemi

以上是NSS35200CF8T1G的詳細信息,包括NSS35200CF8T1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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