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NSS20201MR6T1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: 6-TSOP
數(shù)量：: 2979
說明：: 兩極晶體管 - BJT 2A 20V Low VCEsat

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NSS20201MR6T1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：200MHz
功率 - 最大值：460 mW
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 1A，5V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：150mV @ 100mA，1A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：20 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：2 A
晶體管類型：NPN
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi

以上是NSS20201MR6T1G的詳細(xì)信息，包括NSS20201MR6T1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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