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NSBA113EDXV6T1

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SOT-563
數(shù)量：: 8370
說明：: TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563

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NSBA113EDXV6T1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
晶體管類型2 個(gè) PNP 預(yù)偏壓式（雙）
電流 - 集電極 (Ic)（最大）100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）1K
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）1K
在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)3 @ 5mA, 10V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）250mV @ 5mA, 10mA
電流 - 集電極截止（最大）500nA
頻率 - 轉(zhuǎn)換-
功率 - 最大500mW
安裝類型表面貼裝

以上是NSBA113EDXV6T1的詳細(xì)信息，包括NSBA113EDXV6T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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