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NJVMJD42CT4G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: DPAK
數(shù)量：: 7645
說明：: 兩極晶體管 - BJT SILICON Pwr TRANSISTOR

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NJVMJD42CT4G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-65°C ~ 150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：3MHz
功率 - 最大值：1.75 W
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 300mA，4V
電流 - 集電極截止（最大值）：50μA
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：1.5V @ 600mA，6A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：100 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：6 A
晶體管類型：PNP
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：onsemi

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