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首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > NE85630-T1

NE85630-T1

廠家：: NEC
封裝：: SOT-323
數(shù)量：: 6624
說明：: TRANS NPN 1GHZ SOT-323

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NE85630-T1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
晶體管類型NPN
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）12V
頻率 - 轉換4.5GHz
噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益12dB ~ 6dB
功率 - 最大150mW
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)40 @ 20mA, 10V
電流 - 集電極 (Ic)（最大）100mA
安裝類型表面貼裝

以上是NE85630-T1的詳細信息，包括NE85630-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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