日韩精品在线免费播放-午夜激情网址-日韩黄色一区-91网站免费在线观看-www黄色com-福利网站在线观看-欧美一区二区三区大片-久久久久久久久久久久久久国产-成人理论片-2020亚洲天堂-黄色成人91-毛片视频免费观看-一区二区黄色片-91亚洲精品在线-国产免费看av-黄色一级淫片-国产一级理论片

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > NE85619-T1

NE85619-T1

廠家：: NEC
封裝：: SOT-523
數量：: 6552
說明：: TRANS NPN 1GHZ SMD

一、本商品被瀏覽0次.

NE85619-T1 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
晶體管類型NPN
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）12V
頻率 - 轉換4.5GHz
噪聲系數（dB典型值@頻率）1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益12.5dB ~ 6.5dB
功率 - 最大100mW
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)80 @ 20mA, 10V
電流 - 集電極 (Ic)（最大）100mA
安裝類型表面貼裝

以上是NE85619-T1的詳細信息，包括NE85619-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產品：