日韩精品在线免费播放-午夜激情网址-日韩黄色一区-91网站免费在线观看-www黄色com-福利网站在线观看-欧美一区二区三区大片-久久久久久久久久久久久久国产-成人理论片-2020亚洲天堂-黄色成人91-毛片视频免费观看-一区二区黄色片-91亚洲精品在线-国产免费看av-黄色一级淫片-国产一级理论片

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 射頻半導體 > 晶體管射頻 > 射頻GaAs晶體管 > NE850R599A

NE850R599A

廠家：: CEL
封裝：: Outline99
數(shù)量：: 4572
說明：: 射頻GaAs晶體管 0.5W C-Band MESFET

一、本商品被瀏覽0次.

NE850R599A PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

包裝形式：Bulk
P1dB：26.5 dBm
封裝形式：Outline99
安裝風格：Screw
功率耗散：3 W
最大工作溫度：+ 130 C
漏極連續(xù)電流：430 mA
閘/源擊穿電壓：- 12 V
漏源電壓 VDS：15 V
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：150 mS
增益：9.5 dB
頻率：7.2 GHz
技術類型：MESFET
RoHS：否
產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管
制造商：CEL

以上是NE850R599A的詳細信息，包括NE850R599A廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管射頻產(chǎn)品：

射頻MOSFET電源晶體管射頻硅鍺晶體管射頻雙極小信號晶體管射頻JFET晶體管射頻雙極電源晶體管

最新產(chǎn)品：

CC1312R0F3RGZR

STP2N105K5

SG-8018CG 12.2730M-TJHPA0

SW3-040120RN1HF

T499A105M035ATE10K

AFSM2-04500650-10-15P-R

RER40F6R34RCSL

51-CBSA-5.0X5.0X0.5