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NE8500199

廠家：: CEL
封裝：: CHIP
數(shù)量：: 4536
說明：: 射頻GaAs晶體管 1W C Band MESFET

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NE8500199 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

包裝形式：Bulk
P1dB：29.5 dBm
封裝形式：CHIP
安裝風格：SMD/SMT
功率耗散：6 W
最大工作溫度：+ 130 C
漏極連續(xù)電流：825 mA
閘/源擊穿電壓：- 12 V
漏源電壓 VDS：15 V
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：300 mS
增益：9 dB
頻率：7.2 GHz
技術類型：MESFET
RoHS：否
產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管
制造商：CEL

以上是NE8500199的詳細信息，包括NE8500199廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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