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NE722S01-T1B

廠家：: CEL
封裝：: SO-1
數(shù)量：: 4482
說(shuō)明：: 射頻GaAs晶體管 C-X Band GaAs MESFET

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NE722S01-T1B PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：4000
包裝形式：Reel
P1dB：15 dBm
封裝形式：SO-1
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
功率耗散：250 mW
最大工作溫度：+ 125 C
漏極連續(xù)電流：120 mA
閘/源擊穿電壓：- 5 V
漏源電壓 VDS：5 V
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：45 mS
噪聲系數(shù)：0.9 dB
增益：12 dB
頻率：4 GHz
技術(shù)類(lèi)型：MESFET
RoHS：是
制造商：CEL

以上是NE722S01-T1B的詳細(xì)信息，包括NE722S01-T1B廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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