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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > NDS0610-G

NDS0610-G

廠家：: onsemi
封裝：: SOT-23-3
數(shù)量：: 4230
說明：

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NDS0610-G PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：360mW（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：79 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：2.5 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：10 歐姆 @ 500mA，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：120mA（Ta）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：onsemi

以上是NDS0610-G的詳細(xì)信息，包括NDS0610-G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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