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NDH8502P

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 SuperSOT-8
數(shù)量：
 1629  
說明：
 MOSFET DISC BY MFG 2/02
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NDH8502P-SuperSOT-8圖片

NDH8502P PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：28 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：18 ns
功率耗散：800 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：18 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SuperSOT-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：110 mOhms
漏極連續(xù)電流：2.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDH8502P的詳細(xì)信息，包括NDH8502P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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