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首頁(yè) > 電子元件分類(lèi) > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > NDH831N

NDH831N

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SuperSOT-8
數(shù)量：: 4770
說(shuō)明：: MOSFET DISC BY MFG 2/02

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NDH831N PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：55 ns
上升時(shí)間：30 ns
功率耗散：1800 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：30 ns
封裝形式：SuperSOT-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quint Drain Dual Source
漏極連續(xù)電流：5.8 A
閘/源擊穿電壓：8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDH831N的詳細(xì)信息，包括NDH831N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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