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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > NDB6030PL

NDB6030PL

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: D2PAK（TO-263）
數(shù)量：: 99
說明：: MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode

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NDB6030PL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：NDB6030PL_NL
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：50 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時(shí)間：60 ns
功率耗散：75 W
最小工作溫度：- 65 C
下降時(shí)間：52 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.037 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 30 A
閘/源擊穿電壓：+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDB6030PL的詳細(xì)信息，包括NDB6030PL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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