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NCV84090DR2G

廠家:
  onsemi
封裝:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
數(shù)量:
 2182  
說明:
 90MOHM HIGH SIDE SMARTFET
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NCV84090DR2G-8-SOIC(0.154

NCV84090DR2G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
封裝:8-SOIC
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
故障保護(hù):限流(可調(diào)),開路負(fù)載檢測,超溫,反向電流,UVLO
特性:負(fù)載釋放,壓擺率受控型
輸入類型:非反相
導(dǎo)通電阻(典型值):90 毫歐
電流 - 輸出(最大值):24A
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):不需要
電壓 - 負(fù)載:4V ~ 28V
接口:開/關(guān)
輸出類型:P 通道
輸出配置:高端
比率 - 輸入:輸出:1:01
輸出數(shù):1
開關(guān)類型:通用
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT)
品牌:onsemi

以上是NCV84090DR2G的詳細(xì)信息,包括NCV84090DR2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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