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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > MWI35-12A7T

MWI35-12A7T

廠家：: Ixys
封裝：: E2
數(shù)量：: 6696
說明：: IGBT 模塊 35 Amps 1200V

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MWI35-12A7T PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：6
安裝風格：Screw
最小工作溫度：- 40 C
柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 20 V
包裝形式：Bulk
封裝形式：E2-Pack
最大工作溫度：+ 150 C
在25 C的連續(xù)集電極電流：62 A
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Hex
產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是MWI35-12A7T的詳細信息，包括MWI35-12A7T廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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