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MSA1162GT1

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: SC-59-3
數(shù)量：: 2259
說明：: 兩極晶體管 - BJT 100mA 60V PNP

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MSA1162GT1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：3000
包裝形式：Reel
最大功率耗散：0.2 W
集電極連續(xù)電流：0.1 uA
封裝形式：SC-59-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：200 at 2 mA at 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：80 MHz
最大直流電集電極電流：0.1 A
集電極—射極飽和電壓：50 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：7 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：50 V
集電極—基極電壓 VCBO：60 V
晶體管極性：PNP
配置：Single
RoHS：否
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是MSA1162GT1的詳細信息，包括MSA1162GT1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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