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MPS650G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-92-3 (TO-226)
數(shù)量：: 12644
說明：: 兩極晶體管 - BJT 2A 60V NPN

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MPS650G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：5000
包裝形式：Bulk
最小工作溫度：- 55 C
最大功率耗散：625 mW
集電極連續(xù)電流：2 A
封裝形式：TO-92-3 (TO-226)
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min：75 at 50 mA at 2 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：75 MHz
最大直流電集電極電流：2 A
集電極—射極飽和電壓：40 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：5 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：40 V
集電極—基極電壓 VCBO：60 V
晶體管極性：NPN
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：兩極晶體管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

以上是MPS650G的詳細信息，包括MPS650G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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