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MOC211M_Q

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 SOIC-8 Narrow
數(shù)量：
 8244  
說明：
 晶體管輸出光電耦合器 SO-8 PHOTO TRANS
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MOC211M_Q-SOIC-8 Narrow圖片

MOC211M_Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

輸出類型：DC
輸出設備：NPN Phototransistor
每芯片的通道數(shù)量：1 Channel
最大反向二極管電壓：6 V
最大輸入二極管電流：60 mA
包裝形式：Bulk
封裝形式：SOIC-8 Narrow
最小工作溫度：- 40 C
最大工作溫度：+ 100 C
最大功率耗散：250 mW
最大集電極電流：150 mA
最大正向二極管電壓：1.5 V
絕緣電壓：2500 Vrms
最大集電極/發(fā)射極飽和電壓：0.4 V
最大集電極/發(fā)射極電壓：30 V
輸入類型：DC
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是MOC211M_Q的詳細信息，包括MOC211M_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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