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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C75 毫歐 @ 3A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)20V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs46nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5.6A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 1400pF @ 16V
功率 - 最大2.5W
安裝類(lèi)型表面貼裝

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