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MMSF3P02HDR2G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 8-SOIC
數(shù)量:
 7560  
說明:
 MOSFET PFET SO8S 20V 5.6A 75mOhm
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MMSF3P02HDR2G-8-SOIC圖片

MMSF3P02HDR2G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:54 ns, 110 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時間:135 ns, 40 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :7.2 S
下降時間:84 ns, 97 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.075 Ohms
漏極連續(xù)電流:5.6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是MMSF3P02HDR2G的詳細信息,包括MMSF3P02HDR2G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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