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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > IXYP10N65B3D1

IXYP10N65B3D1

廠家：: IXYS
封裝：: TO-220
數(shù)量：: 6327
說(shuō)明：: DISC IGBT XPT-GENX3 TO-220AB/FP

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IXYP10N65B3D1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-220-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：29 ns
測(cè)試條件：400V，10A，50 歐姆，15V
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：17ns/125ns
柵極電荷：20 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量：300μJ（開），200μJ（關(guān)）
功率 - 最大值：160 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，10A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：62 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：32 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：PT
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：XPT?, GenX3?
系列：管件
品牌：IXYS

以上是IXYP10N65B3D1的詳細(xì)信息，包括IXYP10N65B3D1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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