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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > IXYA30N120A4HV

IXYA30N120A4HV

廠家：: IXYS
封裝：: TO-263HV
數(shù)量：: 6858
說(shuō)明：: DISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2

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IXYA30N120A4HV PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：42 ns
測(cè)試條件：960V，25A，5 歐姆，15V
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：15ns/235ns
柵極電荷：57 nC
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)能量：4mJ（開），3.4mJ（關(guān)）
功率 - 最大值：500 W
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，25A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：184 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：106 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
IGBT 類型：PT
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：GenX4?, XPT?
系列：管件
品牌：IXYS

以上是IXYA30N120A4HV的詳細(xì)信息，包括IXYA30N120A4HV廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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