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IXTP60N10T

廠家：: Ixys
封裝：: TO-220-3
數量：: 8765
說明：: MOSFET MOSFET Id60 BVdass100

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IXTP60N10T PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：43 ns
工廠包裝數量：50
上升時間：40 ns
功率耗散：176 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：42 s
下降時間：37 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.018 Ohms
漏極連續(xù)電流：60 A
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：IXYS

以上是IXTP60N10T的詳細信息，包括IXTP60N10T廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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