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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXTH3N100P

IXTH3N100P

廠家：: Ixys
封裝：: TO-247（IXTH）
數(shù)量：: 6615
說(shuō)明：: MOSFET 3 Amps 1000V

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IXTH3N100P PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：75 ns
工廠包裝數(shù)量：30
上升時(shí)間：27 ns
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：29 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-247
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：4.8 Ohms
漏極連續(xù)電流：3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：1000 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTH3N100P的詳細(xì)信息，包括IXTH3N100P廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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