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IXTF200N10T

廠家：: Ixys
封裝：: i4-Pac?-5
數(shù)量：: 5949
說(shuō)明：: MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds

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IXTF200N10T PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：45 ns
工廠包裝數(shù)量：25
上升時(shí)間：31 ns
功率耗散：200 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：34 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：ISOPLUS I4-PAC
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single Dual Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0063 Ohms
漏極連續(xù)電流：120 A
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXTF200N10T的詳細(xì)信息，包括IXTF200N10T廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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