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IXTA1R6N100D2-TRL

廠家：: IXYS
封裝：: TO-263（D2Pak）
數(shù)量：: 1449
說明：: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263

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IXTA1R6N100D2-TRL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：100W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：645 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：27 nC @ 5 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：10 歐姆 @ 800mA，0V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：1.6A（Tj）
漏源電壓（Vdss）：1000 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態(tài)：在售
包裝：Depletion
系列：卷帶（TR）
品牌：IXYS

以上是IXTA1R6N100D2-TRL的詳細信息，包括IXTA1R6N100D2-TRL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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