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IRFW630BTM_FP001

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-263
數(shù)量：: 6165
說明：: MOSFET 200V N-Ch B-FET

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IRFW630BTM_FP001 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：60 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時(shí)間：70 ns
功率耗散：3.13 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：65 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.4 Ohms
漏極連續(xù)電流：9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是IRFW630BTM_FP001的詳細(xì)信息，包括IRFW630BTM_FP001廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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