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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IRFU9N20D

IRFU9N20D

廠家：: International Rectifier
封裝：: IPAK（TO-251AA）
數(shù)量：: 6138
說明：: MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK

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IRFU9N20D PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C380 毫歐 @ 5.6A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)200V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）5.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs27nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C9.4A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 560pF @ 25V
功率 - 最大86W
安裝類型通孔

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