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IPP04N03LB G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO220-3-1
數(shù)量：: 5553
說明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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IPP04N03LB G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPP04N03LBGXK
典型關(guān)閉延遲時間：39 ns
工廠包裝數(shù)量：500
上升時間：9 ns
功率耗散：107 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：6 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：5.4 m Ohms
漏極連續(xù)電流：80 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPP04N03LB G的詳細信息，包括IPP04N03LB G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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