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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPD12CNE8N G

IPD12CNE8N G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO252-3
數(shù)量：: 3204
說明：: MOSFET N-CH 85V 67A

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IPD12CNE8N G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：IPD12CNE8NGXT
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：32 ns
上升時(shí)間：21 ns
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0124 Ohms
漏極連續(xù)電流：67 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：85 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD12CNE8N G的詳細(xì)信息，包括IPD12CNE8N G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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