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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IPD110N12N3 G

IPD110N12N3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252-3
數(shù)量：: 5629
說明：: MOSFET N-KANAL POWER MOS

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IPD110N12N3 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：IPD110N12N3GBUMA1 IPD110N12N3GXT SP000674466
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：24 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：16 ns
功率耗散：136 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：49 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：83 S, 42 S
下降時(shí)間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：11 mOhms
漏極連續(xù)電流：75 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：120 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPD110N12N3 G的詳細(xì)信息，包括IPD110N12N3 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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