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中文參數(shù)如下：
典型關(guān)閉延遲時間：13 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時間：4 ns
功率耗散：71 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：38 S / 19 S
下降時間：3 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：26 m Ohms
漏極連續(xù)電流：35 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：85 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon
以上是IPB26CNE8N G的詳細(xì)信息，包括IPB26CNE8N G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!
