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IPB06N03LB G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 1512
說明：: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

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IPB06N03LB G-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

IPB06N03LB G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.3 毫歐 @ 50A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：50A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2V @ 40µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：22nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：2782pF @ 15V
功率 - 最大：83W
安裝類型：表面貼裝

以上是IPB06N03LB G的詳細信息，包括IPB06N03LB G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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