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IPB051NE8N G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263
數(shù)量：: 7011
說明：: MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 100A

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IPB051NE8N G PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

零件號別名：IPB051NE8NGXT
典型關(guān)閉延遲時間：64 ns
上升時間：42 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：21 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0051 Ohms
漏極連續(xù)電流：100 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：85 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB051NE8N G的詳細信息，包括IPB051NE8N G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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